高純度薬品とクリーンなガラス容器でRCA洗浄を行うと、ウェハーは水に浸かっている間は非常にクリーンな表面を持つ。表面は容易に有機物や水中に浮遊するパーティクルによって再汚染するため、リンスと乾燥段階は正しく行わなければならない。リンスと乾燥を効果的に行うために様々な手法がとられる[2]。 ex-situな洗浄プロセスにおける第1段階では、トリクロロエチレン、アセトン、メタノールと超音波を使ってウェハーの油分を取り除く[5]。
付加的な段階
関連項目
ウェハー
SOI
化学機械研磨
ピラニア溶液
参考文献^ a b c ⇒RCA Clean, materials at Colorado School of Mines
^ a b c d e f g Kern, W. (1990). “The Evolution of Silicon Wafer Cleaning Technology”. Journal of the Electrochemical Society 137 (6): 1887?1892. doi:10.1149/1.2086825
^ W. Kern and D. A. Puotinen: RCA Rev. 31 (1970) 187.
^ Itano, M.; Kern, F. W.; Miyashita, M.; Ohmi, T. (1993). “Particle removal from silicon wafer surface in wet cleaning process”. IEEE Transactions on Semiconductor Manufacturing 6 (3): 258. doi:10.1109/66.238174