MESFET（英: metal-semiconductor field effect transistor）は電界効果トランジスタの一種。ショットキー接合性の金属をゲートとして半導体上に形成した構造を持つ。動作原理はpn接合を使用しているJFETと同一である。一般にMESFETは化合物半導体[1]で利用され、シリコンのMOSFETと比較して、高性能を示し、各種のRF素子に利用されている。
脚注^ ヒ化ガリウム（GaAs）、リン化インジウム（InP）、炭化ケイ素（SiC）等
関連項目
電界効果トランジスタ
化合物半導体
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