Exynos（イクシノス、エクシノス）は、韓国・サムスン電子によるモバイル向けARM系マイクロプロセッサのシリーズである。
概要

Galaxyシリーズを始めとするサムスン電子のスマートフォン端末やタブレット型端末に搭載されている。

TSMCやGLOBALFOUNDRIESなど大手ファウンドリには委託をせず自社工場で生産されている。外部企業への目立った展開はしておらず他社製品での採用例は少ない。

尚、Exynosというネーミングの由来は、ギリシャ語でスマート (Exypnos) とグリーン (Prasinos) という2つの意味を込めたものとしている。

2021年より、GoogleがPixel 6以降のGoogle Pixelに搭載している「Google Tensor」シリーズは、サムスン電子が製造を手掛けていることから、実態として「ExynosをベースにGoogle独自のカスタマイズが行われたもの」と目されている[1]。
経緯

2010年6月、同社のスマートフォン端末GALAXY SにExynos初採用となるExynos 3 Single(S5PC110)が採用された。

2011年、デュアルコアを採用したExynos 4210が発表され、GPUはこれ以降ARM社のen:Mali (GPU)を採用する。

2012年、45 nmプロセスのExynos 4210から32 nmプロセスへシュリンクされたExynos 4212が発表され、これ以降32 nmプロセスへと移行する[2]。

2012年12月、ARM社が提唱するbig.LITTLE Processing技術を次世代Exynosに採用するとの発表がなされた。次世代Exynosが、big.LITTLE Processing技術を採用した世界初の製品となる見込み。

2013年3月、次世代Exynos (Exynos 5410)を搭載したGALAXY S4が発表された。GPUにはExynos 3110以来となるPowerVRを再び採用。

2013年9月、Exynos 5410を改良しHMP (Heterogeneous Multi-Processing)モードに対応。

2014年2月、MWCにてExynos 5420の動作周波数を向上させたフラッグシップモデルのExynos 5422と、普及帯端末向けモデルのExynos 5260を発表[3]。

2017年2月、10 nmFinFETプロセスを採用したExynos 9 Series 8895が発表された[4]。

2018年1月、第2世代の10 nm FinFETプロセスを採用し、最大1.2 Gbpsのダウンロード、200 Mbpsのアップロードが可能なCat.18 LTEモデムを搭載したExynos 9 Series 9810を発表[5]。

2018年11月、8 nm LPP FinFETプロセスを採用し、NPUを内蔵、最大2 Gbpsのダウンロード、316 Mbpsのアップロードが可能なCat.20 LTEモデムを搭載したExynos 9 Series 9820を発表[6]。

2019年8月、Exynos 9820を7 nm EUVに移行し、GPUクロックを向上させたExynos 9 Series 9825[7]、8 nm FinFETプロセスを採用し、5Gモデムを搭載したExynos 980を発表[8]。

2019年10月、7 nm EUVを採用し、最大5,500 MbpsのLPDDR5 RAM、120Hzディスプレイ、1.08億画素カメラに対応したExynos 990[9]を発表。

2021年1月、5 nmに移行し、2億画素カメラ、8K 60fps動画撮影に対応したExynos 2100[10]を発表。
仕様

SoCCPUGPUメモリサンプル出荷時期採用製品
型番製造プロセス命令セットbig.LITTLEアーキテクチャ動作クロックコア数HMPモードGPU型番動作クロックシェーダーコア数DRAM規格チャネル数動作クロック
Exynos 3 Single
(Exynos 3110)
(S5PC110)
(Hummingbird)[11]45 nmARMv7-A×Cortex-A81000 - 1200 MHz1×PowerVR SGX540200 MHz1DDR2, LPDDR, LPDDR22200 MHz2010年

Samsung Galaxy S SC-02B

Samsung Galaxy Tab SC-01C

Google Nexus S

Samsung Wave S8500

Samsung Wave II S8530

Hardkernel ODROID-7

Exynos 3 Quad
(Exynos 3470)[12]28 nmARMv7-A×Cortex-A71400 MHz4×ARM Mali-400MP4450 MHz4LPDDR322014年

Samsung Galaxy S5 Mini

Samsung Galaxy Light

Exynos 4 Dual 45 nm
(Exynos 4210)[13]45 nmARMv7-A×Cortex-A91200 - 1400 MHz2×ARM Mali-400MP4266 MHz4DDR2, DDR3, LPDDR2[14]22011年

Samsung Galaxy S II SC-02C

Samsung galaxy Tab 7.0 Plus SC-02D

Samsung Galaxy S II Wimax ISW11SC

eden TAB

Hardkernel ODROID-PC

Exynos 4 Dual 32 nm
(Exynos 4212)[15]32 nm HKMGARMv7-A×Cortex-A91500 MHz2×ARM Mali-400MP4400 MHz4DDR2, DDR3, LPDDR, LPDDR222011年

Meizu MX 2-Core (new 2-core model)

Samsung Galaxy Tab 3 8.0[16]

Samsung Galaxy S4 zoom

Exynos 4 Quad
(Exynos 4412)32 nm HKMGARMv7-A×Cortex-A91400 - 1600 MHz4×ARM Mali-400MP4440 MHz4DDR2, DDR3, LPDDR, LPDDR2, [17]2400 MHz2012年

Samsung Galaxy S III (GT-I9300、海外モデルの一部)

Samsung Galaxy Note II SC-02E

Samsung Galaxy S IIIα SC-03E

Hardkernel ODROID-U/U2/X2/Q2

Exynos 4 Quad[18]
(Exynos 4412 Prime)[19]32 nm HKMGARMv7-A×Cortex-A91600 MHz4×ARM Mali-400MP4533 MHz4DDR2, DDR3, LPDDR, LPDDR22400 MHz2012年

Samsung Galaxy Note II

Meizu MX2、Samsung Galaxy Note 8.0

Samsung Galaxy NX

iberry Auxus CoreX4 3G[20][21]

Hardkernel ODROID-U3

Exynos 5 Dual
(Exynos 5250)32 nm HKMGARMv7-A×Cortex-A151700 MHz2×ARM Mali-T604533 MHz4DDR32800 MHz2012年Q2[22]

Samsung Chromebook XE303C12

Google Nexus 10

LPDDR2533 MHz
Exynos 5 Hexa
(Exynos 5260)28 nm HKMGARMv7-A○Cortex-A151700 MHz2○ARM Mali-T624600 MHzDDR3, LPDDR32800 MHz2014年Q2