フローティングゲートに注入された電子は、特に温度が上がると不導体を通り抜けて漂うようになり、蓄えた電荷が徐々に失われ、最終的にはセルの記憶が消去された状態になる。メーカーによれば、記憶したデータが保持される期間は10年かそれ以上だという[5]。 フラッシュメモリはEEPROMの一種で比較的新しい。業界ではバイト単位の消去を行うデバイスをEEPROMと呼び、ブロック単位で消去を行うデバイスをフラッシュメモリと呼ぶことが多い。EEPROMはセル（1ビットを記憶する回路）毎に読み取りと書き込みと消去のためのトランジスタを必要とするが、フラッシュメモリではブロック（通常512×8セル）単位で消去用回路を共有しているため、単位記憶容量あたりのチップ面積が小さくなる。 FeRAMやMRAMといったさらに新しい不揮発性メモリ技術がEEPROMを徐々に置き換えつつある。 EPROMとEEPROMの違いは書き込みと消去の方式の違いである。EEPROMは電界電子放出（FNトンネリング）を利用して電気だけで書き込みと消去が可能である。 EPROMは電気だけでは消去できず、フローティングゲートへのホットキャリア注入で再書き込みを行う。消去には紫外線光源を使う。内部は同じ半導体を使いながらも、安価なプラスチックパッケージ（窓なし）を使って最初の1回しか書き込めないものを「PROM」と言う。 多くのNOR型フラッシュメモリはハイブリッドな方式を採用しており、書き込みはホットキャリア注入で行い、消去は電界電子放出で行う。
関連する種類のメモリ
EPROMとEEPROM/フラッシュメモリとの比較
EEPROMメーカー
インフィニオン・テクノロジーズ
三菱電機
NXPセミコンダクターズ
オン・セミコンダクター
ルネサス エレクトロニクス
ローム
サムスン電子
STマイクロエレクトロニクス
セイコーインスツル
マイクロチップ・テクノロジー
出典^ ⇒EEPROM TopBits.com
^ ⇒Seeq Technology The Antique Chip Collector's Page
^ Rostky, George (July 2, 2002). ⇒“Remembering the PROM knights of Intel”. EE Times. ⇒http://www.eetimes.com/issue/fp/showArticle.jhtml;?articleID=18307418 2007年2月8日閲覧。.
^ ⇒FAQ EEPROMとは？ ROHM
^ System Integration - From Transistor Design to Large Scale Integrated Circuits
関連項目
フラッシュメモリ
歴
半導体メモリ
リードオンリーメモリ（ROM）
マスクROM
PROM
EPROM
UV-EPROM
EEPROM
ランダムアクセスメモリ（RAM）
SRAM
DRAM
Z-RAM
TTRAM
NOR型フラッシュメモリ
FeRAM
FFRAM
MRAM
STT-RAM
PCRAM
ReRAM
OXRAM
CBRAM
NRAM
揮発性メモリ（VM）
SRAM
DRAM
Z-RAM
TTRAM
不揮発性メモリ（NVM）
PROM
EAROM
EPROM
EEPROM
フラッシュメモリ
NOR型フラッシュメモリ
NAND型フラッシュメモリ
MONOS型メモリ
SONOS型メモリ
ナノクリスタルメモリ
FeRAM
FFRAM
MRAM