舛岡富士雄
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1943年
5月8日

群馬県
高崎市

日本
群馬県立高崎高等学校
東北大学
電子工学
東芝
東北大学
NOR型フラッシュメモリ
NAND型フラッシュメモリ
東北大学電気通信研究所
1996年
2007年
東北大学電気通信研究所
通信・放送機構
2001年
電子情報技術産業協会
2004年
日本学術振興会
2002年
IEEEモーリス・N・リーブマン記念賞
1997年
市村産業賞
2000年
本田賞
2018年
紫綬褒章
2007年
文化功労者
2013年
瑞宝重光章
2016年
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1943年
5月8日
日本
電子工学
NOR型フラッシュメモリ
NAND型フラッシュメモリ
[1]
MOSFET
東芝
東北大学
最高技術責任者
Surrounding Gate Transistor
紫綬褒章
文化功労者
瑞宝重光章
来歴

1943年
群馬県
高崎市
1962年
群馬県立高崎高等学校
1966年
東北大学
工学部
電子工学科
西澤潤一
1968年
1971年
東芝
1980年
NOR型フラッシュメモリ
1986年
NAND型フラッシュメモリ
1994年
1996年
東北大学電気通信研究所
2004年
受賞歴

1980年
6月
発明協会
1997年
IEEEモーリス・N・リーブマン記念賞
[2]
2000年
市村産業賞
2002年
2007年
4月29日
紫綬褒章
2013年
文化功労者
[3]
2016年
瑞宝重光章
[4]
2018年
本田賞
フラッシュメモリ発明にまつわるエピソード


アメリカ合衆国
ビット
[5]
東芝退社とその後


窓際族
[6]
NAND型フラッシュメモリ
サムスン電子
[7]
フラッシュメモリ
[8]
[9]
Surrounding Gate Transistor
裁判


フラッシュメモリ
2004年
3月2日
東芝


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