オームの法則
[1]
ダイオード
トランジスタ
太陽電池
熱電効果

イオン
pn接合
材料

Si
Ge
フラーレン
カーボンナノチューブ
化合物半導体
II-VI族半導体
ZnSe
CdS
ZnO
III-V族半導体
GaAs
InP
GaN
SiC
SiGe
有機半導体
導電性高分子

nm
半導体の型

格子欠陥
真性半導体
フェルミ準位
禁制帯
価電子帯
半導体素子
ドーパント
不純物半導体
ドープ
電荷担体
n型半導体
正孔
p型半導体
カーボンナノチューブ

リン
価電子
n型半導体
ほとんど自由な電子
シリコン
ゲルマニウム
ヒ素
eV
ボーア半径
原子間距離
バンド構造
励起
フェルミ準位

ホウ素
ホウ素
歴史

トーマス・ゼーベック
熱電変換効果
マイケル・ファラデー
硫化銀
導電性
アレクサンドル・エドモン・ベクレル
塩化銀
白金
光電効果
セレン
フェルディナント・ブラウン
ピエテル・サミュエル・ムンク
アーサー・シュスター
固体物理学
エドウィン・ホール
ホール効果
アレクサンダー・グラハム・ベル
セレン
光線電話
チャールズ・フリッツ
露出計
ジョゼフ・ジョン・トムソン
電子
1904年に硫化鉛
ジャガディッシュ・チャンドラ・ボース
方鉛鉱
鉱石検波器
鉱石ラジオ
炭化珪素
発光ダイオード
オレク・ロシェフ
酸化銅
セレン
整流器
オレク・ロシェフ
負性抵抗
レニングラード包囲戦
赤外線
光無線通信
硫化鉛
船舶
航空機
熱紋
MHz
真空管
鉱石検波器
マイクロ波
検波器
検波器
整流器
ユリウス・エドガー・リリエンフェルト
電界効果トランジスタ
ゾーンメルト法
MOSFET
mA
遮断周波数
Hz
ベル研究所
ウィリアム・ショックレー
pn接合