半導体レーザー
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1953年: ドイツのフォン・ノイマンが半導体レーザーのアイディアを講演や友人宛の手紙などで発表した[注 3]

1957年: 4月に東北大学渡辺寧西澤潤一が、半導体レーザーのアイデアを特許出願し、特許される(特公昭35-13787)[注 4]11月にゴードン・グールドは、自分の研究ノートに装置の図面と簡単な式とレーザー(Light Amplification by Stimulated Emission of Radiation:輻射の誘導放出による光増幅)という言葉を記した[3]

1958年: ベル電話研究所のアーサー・シャウロウとチャールズ・タウンズは、レーザーの特許を出願[3]

1960年:3月、米国特許庁はシャウロウとタウンズにアメリカ合衆国特許第 2,929,922号としてレーザーの特許を与えた[注 5]

1962年: GEIBMMITの共同研究によって、ホモ接合構造による半導体レーザーの低温パルス発振に成功した。ニック・ホロニアックが半導体レーザーによる可視光の発振に成功した

1963年: ヘテロ接合によるレーザの低閾値化の提案(ハーバート・クレーマー

1970年: 米国のベル研究所:林厳雄、M. B. Panish、ソ連アカデミージョレス・アルフェロフらによって、ほぼ同時期に、AlGaAs/GaAsダブルヘテロ接合構造半導体レーザーによる室温連続発振に成功した

1975年: 単一縦モード発振に向け分布帰還型 (DFB) レーザおよび分布反射型 (DBR) レーザの提案した

1977年: 伊賀健一が"VCSEL"を提案し、同年に最初のデバイスの開発した

1982年: 荒川泰彦、榊裕之らが量子ドットレーザーを提案した

1987年 : 11月、長年にわたる特許紛争の末、グールドに「反転分布生成のために衝突を採用した光増幅」としてアメリカ合衆国特許第 4,704,583号が与えられた

1994年: 米ベル研究所でカスケードレーザーが発明された

1996年: 日亜化学工業中村修二が、InGaN/GaN青色半導体レーザの室温パルス発振に成功した

2000年: 「半導体ヘテロ接合の提案と実証」研究によってハーバート・クレーマー(米)、ジョレス・アルフェロフ(露)両博士へノーベル物理学賞が授与された

不得手な発光色

発光ダイオードと同様に、基本的な発光色は半導体内部の電荷(励起状態電子と正孔)が再結合する時のバンドギャップエネルギー差によってほぼ決定される。光学半導体として良好に機能する元素の組み合わせは限られるために、発光色はまばらに存在しており、幾つかの波長領域は不得意である。赤色や青色の半導体レーザーは量産されているが、黄色や緑色、中赤外線 (2-5μm) は実用的な発光効率を得るのが困難な傾向にあり、そのような波長ではガスレーザーなど半導体以外の材質が用いられることが多い。それでも新たな技術が開発されることで、半導体レーザーの発光色は広がり発光効率も向上している[4]

窒化ガリウムによる半導体レーザーの実現により、直接発振での紫外線-紫-青-青緑の発光が可能になっている( ⇒製品ラインアップの例)。窒化ガリウム製のレーザーは量産の難しさから比較的高価格であるが、青色の物は日亜化学工業に続いてソニーなどが生産しており、ゲーム機やBlu-ray Discなど民生品にも利用されている。

長波長の半導体レーザ光から短波長のレーザ光を発生させる手法としては、高調波発生(SHG,THG,FHGなど)も用いられ、光ピックアップなどに応用されることがある。

住友電気工業ソニーは共同で、従来、困難だった高出力の純緑色半導体レーザーを開発した[5]

有機半導体レーザー詳細は「有機半導体レーザー」を参照

近年では無機半導体と比較して高い分子設計自由度を特徴とする有機半導体の特徴を利用したレーザーの研究が進められ、2000年7月にベル研究所で発振に成功したと伝えられたが、これは後に捏造であると判明した[6][注 6]。その後も他の研究機関や大学で研究は継続され、徐々に成果が出つつある[7][8][9][10]
応用

他のレーザーと比べ、小型で消費電力が少なく安価に製造出来るため、民生分野の情報機器などで広く用いられている。
CDDVDBD等の光学ドライブの光ピックアップ、コピー機レーザープリンター光ファイバーを用いた通信機器などに利用されている。

高出力なものは1個の素子で5W以上、複数の素子を束ねたアレイとすることで数十Wの出力を持つ 例 や、数十kWもの出力を持つ ⇒ もある。


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