構造
EEPROM
[注 1]
ゲート絶縁膜
種別

NAND型とNOR型

NAND型フラッシュメモリ
NOR型フラッシュメモリ
NAND型フラッシュメモリ
NOR型フラッシュメモリ
応用分野等

東芝
舛岡富士雄
インテル
キオクシア
サンディスク
サムスン
マイクロン
スパンション
マイコン
ファームウェア
データストレージ
携帯電話
デジタルカメラ
デジタルオーディオプレーヤー
記憶媒体

NAND型フラッシュメモリ
セル

NOR型フラッシュメモリ
セル
SLCとMLC

ビット
ダイ
電子
レトロニム
ノイズ
エラー訂正
デジタルビデオカメラ
民生用途
電源

チャージポンプ
ROM
ROM
構造図フラッシュメモリのセルの構造


ホットエレクトロン
ゲート絶縁膜
トンネル効果

電荷
制約

ブロック消去

ランダムアクセス
メモリーウェア

[4]
2012年
英語
英
[5]
[6]
[7]
読み出し混乱

英
X線の影響

英語
英語
[8]
[9]
[10]
[11]
保持期間

[12]
[13]
[14]
[15]
[16]
[16]
寿命

絶縁体
電子
[17]
[注 2]
ウェアレベリング
[18]
[19]
[20]
電子回路
ソリッドステートドライブ
デバイス
BIOS
マザーボード
USBメモリ
フロッピーディスク
ウェアレベリング
2004年
ソリッドステートドライブ
2006年
ノートパソコン
2007年
Windows Vista
キャッシュメモリ
Windows ReadyBoost
2009年
Windows 7
インタフェース

SRAM
DRAM
組み込みシステム
I2C
商品パッケージ

補助記憶装置
Fusion-io
サンディスク
ioDrive
[21]
USBメモリ
メモリーカード