トランジスタ
□記事を途中から表示しています
[最初から表示]
^ .mw-parser-output .citation{word-wrap:break-word}.mw-parser-output .citation:target{background-color:rgba(0,127,255,0.133)}GB application 439457, Heil, Oskar, "Improvements in or relating to electrical amplifiers and other control arrangements and devices", published 1935-12-06, issued 1934-03-02 European Patent Office, filed in Great Britain 1934-03-02, (originally filed in Germany 1934-03-02).
^ https://spectrum.ieee.org/tech-history/silicon-revolution/how-europe-missed-the-transistor
^ David Bodanis (2005). Electric Universe. Crown Publishers, New York. .mw-parser-output cite.citation{font-style:inherit;word-wrap:break-word}.mw-parser-output .citation q{quotes:"\"""\"""'""'"}.mw-parser-output .citation.cs-ja1 q,.mw-parser-output .citation.cs-ja2 q{quotes:"「""」""『""』"}.mw-parser-output .citation:target{background-color:rgba(0,127,255,0.133)}.mw-parser-output .id-lock-free a,.mw-parser-output .citation .cs1-lock-free a{background:url("//upload.wikimedia.org/wikipedia/commons/6/65/Lock-green.svg")right 0.1em center/9px no-repeat}.mw-parser-output .id-lock-limited a,.mw-parser-output .id-lock-registration a,.mw-parser-output .citation .cs1-lock-limited a,.mw-parser-output .citation .cs1-lock-registration a{background:url("//upload.wikimedia.org/wikipedia/commons/d/d6/Lock-gray-alt-2.svg")right 0.1em center/9px no-repeat}.mw-parser-output .id-lock-subscription a,.mw-parser-output .citation .cs1-lock-subscription a{background:url("//upload.wikimedia.org/wikipedia/commons/a/aa/Lock-red-alt-2.svg")right 0.1em center/9px no-repeat}.mw-parser-output .cs1-ws-icon a{background:url("//upload.wikimedia.org/wikipedia/commons/4/4c/Wikisource-logo.svg")right 0.1em center/12px no-repeat}.mw-parser-output .cs1-code{color:inherit;background:inherit;border:none;padding:inherit}.mw-parser-output .cs1-hidden-error{display:none;color:#d33}.mw-parser-output .cs1-visible-error{color:#d33}.mw-parser-output .cs1-maint{display:none;color:#3a3;margin-left:0.3em}.mw-parser-output .cs1-format{font-size:95%}.mw-parser-output .cs1-kern-left{padding-left:0.2em}.mw-parser-output .cs1-kern-right{padding-right:0.2em}.mw-parser-output .citation .mw-selflink{font-weight:inherit}ISBN 0-7394-5670-9
^ Arns, Robert G. (October 1998). ⇒“The other transistor: early history of the metal-oxide-semiconducor field-effect transistor”. Engineering Science and Education Journal 7 (5): 233?240. doi:10.1049/esej:19980509. ISSN 0963-7346. ⇒http://ieeexplore.ieee.org/xpls/abs_all.jsp?arnumber=730824.
^ J. Chelikowski, "Introduction: Silicon in all its Forms", Silicon: evolution and future of a technology (Editors: P. Siffert, E. F. Krimmel), p.1, Springer, 2004 ISBN 3540405461.
^ Grant McFarland, Microprocessor design: a practical guide from design planning to manufacturing, p.10, McGraw-Hill Professional, 2006 ISBN 0071459510.
^ ⇒TR-55ソニー公式サイト
^ ⇒50年前のソニーが生んだもの日経エレクトロニクス雑誌ブログ、2005年8月5日
^ W. Heywang, K. H. Zaininger, "Silicon: The Semiconductor Material", Silicon: evolution and future of a technology (Editors: P. Siffert, E. F. Krimmel), p.36, Springer, 2004 ISBN 3540405461.
参考文献.mw-parser-output .refbegin{margin-bottom:0.5em}.mw-parser-output .refbegin-hanging-indents>ul{margin-left:0}.mw-parser-output .refbegin-hanging-indents>ul>li{margin-left:0;padding-left:3.2em;text-indent:-3.2em}.mw-parser-output .refbegin-hanging-indents ul,.mw-parser-output .refbegin-hanging-indents ul li{list-style:none}@media(max-width:720px){.mw-parser-output .refbegin-hanging-indents>ul>li{padding-left:1.6em;text-indent:-1.6em}}.mw-parser-output .refbegin-100{font-size:100%}.mw-parser-output .refbegin-columns{margin-top:0.3em}.mw-parser-output .refbegin-columns ul{margin-top:0}.mw-parser-output .refbegin-columns li{page-break-inside:avoid;break-inside:avoid-column}
リオーダン, マイケル、ホーデスン, リリアン 著、鶴岡雄二・ディーンマツシゲ 訳『電子の巨人たち』 上、ソフトバンククリエイティブ、1998年。ISBN 4797305339。
リオーダン, マイケル、ホーデスン, リリアン 著、鶴岡雄二・ディーンマツシゲ 訳『電子の巨人たち』 下、ソフトバンククリエイティブ、1998a。ISBN 4797305347。
規格表
『最新トランジスタ規格表 各年度版』(CQ出版社) - 1966年(初版)から1988年まで(22版)。初期のトランジスタ(ゲルマニウム)の規格が掲載されている。ただし、改訂版から初期の物は外されている。1989年から改訂版。2003年まで出版された。
『最新トランジスタ互換表 各年度版』(CQ出版社) - 1968年(初版)から2003年(35版)。
『最新トランジスタ規格表&互換表 各年度版』(CQ出版社) - 2004年以降、上記2冊がまとめられた。
関連項目.mw-parser-output .side-box{margin:4px 0;box-sizing:border-box;border:1px solid #aaa;font-size:88%;line-height:1.25em;background-color:#f9f9f9;display:flow-root}.mw-parser-output .side-box-abovebelow,.mw-parser-output .side-box-text{padding:0.25em 0.9em}.mw-parser-output .side-box-image{padding:2px 0 2px 0.9em;text-align:center}.mw-parser-output .side-box-imageright{padding:2px 0.9em 2px 0;text-align:center}@media(min-width:500px){.mw-parser-output .side-box-flex{display:flex;align-items:center}.mw-parser-output .side-box-text{flex:1}}@media(min-width:720px){.mw-parser-output .side-box{width:238px}.mw-parser-output .side-box-right{clear:right;float:right;margin-left:1em}.mw-parser-output .side-box-left{margin-right:1em}}ウィキメディア・コモンズには、トランジスタに関連するカテゴリがあります。
バイポーラトランジスタ
ショットキートランジスタ
FET
集積回路 - 増幅回路 - 論理回路
汎用ロジックIC
TTL - バイポーラトランジスタを利用した論理回路の構成方式。最初に普及したロジックICで、 他の回路構成のロジックICでもその型番を踏襲したものが多い。
CMOS - P型、N型MOSFETを相補的に利用した論理回路構成方式。集積度が高く低消費電力なので、ロジックIC、LSIとして幅広く利用されている。
HCMOS
ムーアの法則
トランジスターグラマー
外部リンク
『トランジスタ』 - コトバンク
典拠管理データベース: 国立図書館
フランス
BnF data
ドイツ
⇒イスラエル
アメリカ
日本
チェコ
表
話
編
歴
半導体
分類
P型半導体
N型半導体
真性半導体
不純物半導体
種類
窒化物半導体
酸化物半導体
アモルファス半導体
磁性半導体
有機半導体
半導体素子
集積回路
マイクロプロセッサ
半導体メモリ
TTL論理素子
バンド理論
バンド構造
バンド図
バンド計算
第一原理バンド計算
伝導帯
価電子帯
禁制帯
フェルミ準位
不純物準位
自由電子
正孔
ドーパント
ドナー
アクセプタ
物性物理学
トランジスタ
バイポーラトランジスタ
次ページ記事の検索おまかせリスト▼オプションを表示暇つぶしWikipedia
Size:58 KB
出典: フリー百科事典『ウィキペディア(Wikipedia)』
担当:undef