シリコンゲルマニウム
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^ 稲員ふみ、「技術開発レポート: フィルム基板アモルファスシリコン太陽電池の開発」 『電気学会論文誌D(産業応用部門誌)』 2010年 130巻 4号 p.NL4_05, doi:10.1541/ieejias.130.NL4_05, 電気学会
^ a b 恭一, 木下; 康智, 荒井; 裕光, 稲富; 隆夫, 塚田 (2017). “国際宇宙ステーションを利用した均一組成 SiGe 結晶の育成 (2) Traveling Liquidus Zone (TLZ)法による育成実験と微小重力効果”. International Journal of Microgravity Science and Application (日本マイクログラビティ応用学会) 34 (1): 340113. doi:10.15011//jasma.34.340113. https://doi.org/10.15011//jasma.34.340113. 
^ a b “微小重力下におけるTLZ法による均一組成SiGe結晶育成の研究”. 「きぼう」利用のご案内. 2021年11月13日閲覧。

参考文献

白木靖寛、「開花期を迎えたシリコンゲルマニウム技術
」 『日本結晶成長学会誌』 2004年 31巻 1号 p.1-, doi:10.19009/jjacg.31.1_1, 日本結晶成長学会

小野島紀夫, 笠松章史, 広瀬信光 ほか、「ミリ波帯動作に向けた SiGe/Si HEMT の研究 (ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム)」 『電子情報通信学会技術研究報告. ED, 電子デバイス』 107.355 (2007): 1-5, .mw-parser-output cite.citation{font-style:inherit;word-wrap:break-word}.mw-parser-output .citation q{quotes:"\"""\"""'""'"}.mw-parser-output .citation.cs-ja1 q,.mw-parser-output .citation.cs-ja2 q{quotes:"「""」""『""』"}.mw-parser-output .citation:target{background-color:rgba(0,127,255,0.133)}.mw-parser-output .id-lock-free a,.mw-parser-output .citation .cs1-lock-free a{background:url("//upload.wikimedia.org/wikipedia/commons/6/65/Lock-green.svg")right 0.1em center/9px no-repeat}.mw-parser-output .id-lock-limited a,.mw-parser-output .id-lock-registration a,.mw-parser-output .citation .cs1-lock-limited a,.mw-parser-output .citation .cs1-lock-registration a{background:url("//upload.wikimedia.org/wikipedia/commons/d/d6/Lock-gray-alt-2.svg")right 0.1em center/9px no-repeat}.mw-parser-output .id-lock-subscription a,.mw-parser-output .citation .cs1-lock-subscription a{background:url("//upload.wikimedia.org/wikipedia/commons/a/aa/Lock-red-alt-2.svg")right 0.1em center/9px no-repeat}.mw-parser-output .cs1-ws-icon a{background:url("//upload.wikimedia.org/wikipedia/commons/4/4c/Wikisource-logo.svg")right 0.1em center/12px no-repeat}.mw-parser-output .cs1-code{color:inherit;background:inherit;border:none;padding:inherit}.mw-parser-output .cs1-hidden-error{display:none;color:#d33}.mw-parser-output .cs1-visible-error{color:#d33}.mw-parser-output .cs1-maint{display:none;color:#3a3;margin-left:0.3em}.mw-parser-output .cs1-format{font-size:95%}.mw-parser-output .cs1-kern-left{padding-left:0.2em}.mw-parser-output .cs1-kern-right{padding-right:0.2em}.mw-parser-output .citation .mw-selflink{font-weight:inherit}NAID 110006532874.

宮下桂, 中山武雄, 松岡史倫. "微細化限界を打破する最先端 CMOS デバイス技術." 東芝レビュー 63.7 (2008).

齋藤秀和、「シリコン・ゲルマニウムにおけるスピントロニクス」 『応用物理』 2015年 84巻 4号 p.331-333, doi:10.11470/oubutsu.84.4_331, 応用物理学会

関連項目

歪みシリコン

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