Laboratoire d'electronique des technologies de l'information
正式名称Laboratoire d'electronique des technologies de l'information
略称LETI
組織形態非営利研究機関
所在地 フランス
グルノーブル
.mw-parser-output .geo-default,.mw-parser-output .geo-dms,.mw-parser-output .geo-dec{display:inline}.mw-parser-output .geo-nondefault,.mw-parser-output .geo-multi-punct,.mw-parser-output .geo-inline-hidden{display:none}.mw-parser-output .longitude,.mw-parser-output .latitude{white-space:nowrap}北緯45度11分39.98秒 東経5度42分18秒 / 北緯45.1944389度 東経5.70500度 / 45.1944389; 5.70500
予算フランス政府、パートナー企業、EUの研究開発プロジェクトから
人数1600名
理事長Marie-Noelle Semeria（ローラン・マリエ）
設立年月日1967年
上位組織原子力庁
ウェブサイト ⇒http://www.leti.fr/en
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電子情報技術研究所（フランス語： Laboratoire d'electronique des technologies de l'information、略称：LETI）は、フランス共和国イゼール県グルノーブルに本部を置くマイクロエレクトロニクスとナノテクノロジーの応用研究を実施する世界有数の規模を持つ研究所である。
概要

フランスのCEA（フランス原子力・代替エネルギー庁）の付属機関であるLetiは、今日では国際的な科学研究拠点として認められている、フランスアルプスに囲まれた大学都市グルノーブルに1967年に設立された。電子情報技術研究所は毎年250件に上る特許を登録し、特許により保護された1700件以上の発明を管理している。

研究所の職員数は1200名で、その他に220名以上の博士課程学生に研修を行っており、パートナー企業や研究所から200名の出向者を受け入れている。電子情報技術研究所には、200mmと300mmのウエハー規格に基づく11,000�uのクリーンルーム、ラボなどを含むマイクロ、ナノテクノロジー研究用の大規模な設備が備わっている。これらの設備は第一級のナノスケールの測定評価、化学的、生物学的、光学的、デザイン上及び上流研究の可能性を提供するものである。
任務

電子情報技術研究所の任務は、イノベーションを創造し、世界中の人々の生活の質を向上する技術及び製品を生むために、それを産業界に移転することである。その目的のために電子情報技術研究所は、基礎研究と製造との間にある溝を埋めるために企業を支援し、新しい企業の創設を支援し、パートナー企業には競争力を高めるために知的所有権の保護を図る。あらゆるプロジェクトを通じて、Letiは有用性と製品化可能性に着目して研究を行っている。
歴史

1967年：当初はCEAのエレクトロニクス分野の需要を満たすために設立されたLetiは、産業界の民間企業とのパートナーシップを促進するために再編成された。

1972年：後にSTマイクロエレクトロニクス社となる、スピンオフEFCIS社設立。

1980年代：新施設及びクリーンルームなどをつくり、赤外線技術並びに磁気測定分野の研究で知名度を上げる。同時に、加速度センサーや重量センサーを含むMEMSの開発を始める。又、Letiはシリコン加速度センサーの特許を取得する。

1991年：フランス国立電気通信研究センター（CNET）と協力して、グルノーブル・サブミクロン・シリコン・イニシアティブ（GRESSI）を設立。

1992年：シリコン・オン・インシュレーター及びその他の半導体基板技術の商業化のためにスピンアウトSoitec社が創設される。

1997年：カスタマー・スペシフィックMEMS製造技術の商業化のためにスピンアウトTronics Microsystems社が創設される。

2002年：初めて200mmウエハーでの200mmシリコン・ジャイロメーターに成功。

2003年：Siアクセレロメータ・プロセスを移転

2006年：地元及び中央政府並びにグルノーブル技術研究所（INPG）との協力により、マイクロ・ナノテクノロジー分野の公共機関と産業界とのパートナーシップを支援するための研究開発カンパス、MINATECをグルノーブルに設立。

2008年：Caltechと提携（NanoVLSI）

2009年：IBM　More Moore CMOS提携

2011年：初の3D 300mm フルケーパビリティー3&Dライン

活動分野

マイクロエレクトロニクスのためのマイクロ・ナノテクノロジー

バイオ及び医療のためのマイクロ・ナノテクノロジー

マイクロ・システムの開発及び統合

医療及びセキュリティーのための映像技術

ワイヤレス、スマートデバイス

宇宙及び科学

エネルギー、輸送、環境

電子情報技術研究所の技術は、宇宙工学、自動車、通信、医療、住宅、情報技術などを含む様々な産業分野で、パートナー企業にイノベーションと競争力を付与している。
協力関係

電子情報技術研究所の研究者は、新技術の開発及び商業化を加速するために、世界中の産業パートナーと密接な協力関係を築いている。又、Letiは以下のような多数の研究プログラムにも参加している。

IBM半導体共同開発協力[1]

VLSIナノシステム協力（カリフォルニア工科大学と）

財団法人マイクロマシンセンター（日本の経済産業省と）

ノキア・リサーチセンター

IMAGINE計画、マスクレス・リソグラフィー

主要テクノロジー分野でのヨーロッパの競争力を高め、新技術を開発するためにLetiは以下の様なヨーロッパレベルの計画にも参加している。

ヘテロジニアス・テクノロジー協力（欧州の4つの研究所間の協力）

CMOSフォトニクス・エレクトロニクス統合（HELIOS）

CMOSフォトニクス相互接続層の実証のためのWADIMOS

EARTH、モバイル・ブロードバンド・システムに於けるエネルギー効率

スピンオフ

創立当初より、電子情報技術研究所は、新しい会社の設立を支援する野心的なスピンオフ・プログラムを通して、民間企業への技術移転を奨励してきた。その一環として、37の企業がLetiのスピンオフとして誕生し、2,500ポスト以上の雇用を生み出した。その内で最も成功している企業の一つが1992年にLetiからスピンオフしたフランス、ベルナンに本社を置くシリコン・オン・インシュレーター及びその他の半導体基板技術の開発企業のSoitec Groupである。SoiteceはパリのEuronextに上場し、2009年度（2010年3月までの年度）には2億900万ユーロの売り上げを上げている。

他のスピンオフの例

EFCIS,semiconductors, 1977 (evolved through mergers to become ST Microelectronics)

Sofradir, Infrared detectors, 1986

Tronics Microsystems, MEMS technology, 1997

Movea, MEMS motion sensors, 2007

Fluoptics, fluorescence imaging for cancer treatment. 2008

MicroOLED, OLED microdisplays, 2007

…


参考文献^ “ ⇒CEA-Leti Helps Launch Wear-a-BAN Project” (英語). Sensors Magazine (2010年7月20日). 2011年1月20日閲覧。


⇒CEA-Leti Helps Launch Wear-a-BAN Project. Sensors Magazine. （英語）

⇒CEA-Leti and IBM to Collaborate on Future Nanoelectronics Technology. (9 April 2009). （英語）

Simmie, James. Innovation Networks and Learning Regions?. Taylor & Francis Publishing (2003). （英語）

⇒2009-2010 full-year financial results (19 May 2010). （英語）

関連項目

フランス原子力庁

外部リンク