「西澤順一」とは別人です。

西澤 潤一日本学士院より公開された肖像
人物情報
生誕 (1926-09-12) 1926年9月12日
大日本帝国・宮城県仙台市
死没 (2018-10-21) 2018年10月21日（92歳没）
日本・宮城県仙台市
国籍 日本
出身校東北大学
両親西澤恭助（東北大学名誉教授）
学問
研究分野電子工学、通信工学
研究機関上智大学特任教授
主な業績半導体デバイス、半導体プロセス、光通信の開発
主な受賞歴日本学士院賞（1974年）
エジソンメダル（2000年）
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西澤 潤一（にしざわ じゅんいち、1926年9月12日 - 2018年10月21日）は、日本の工学者。東北大学名誉教授。日本学士院会員。専門は電子工学・通信工学で、半導体デバイス、半導体プロセス、光通信の開発で独創的な業績を挙げた。半導体関連の特許保有件数は世界最多である[1]。

東北大学総長、岩手県立大学学長、首都大学東京学長、上智大学特任教授を歴任。
来歴

宮城県仙台市出身。西澤恭助（東北帝国大学教授）の第二子、長男として生まれる。西澤泰二（東北大学名誉教授）は弟。

1945年4月、内申書だけで東北帝国大学工学部電気工学科に入学した。西澤の本心は理学部へ行って原子核の研究か数学基礎論を希望していたが、父親から許されなかった[2]。父恭助は1995年に103歳で亡くなるまで西澤を子供扱いし、言う事は絶対だったという。

卒業研究で研究室を選ぶ時、父親の恭助(工学部化学工学科教授)から電気工学科教授の抜山平一に相談がなされた。抜山は渡辺寧の研究室を推薦し、西澤はそれに従った。この事が西澤が半導体固体素子の研究の道に進むきっかけとなった[3]。

渡辺寧に師事。渡辺は当時国内の電子工学研究の指導的立場にあり、米軍関係者との接触により米国での半導体研究の情報、ベル研究所での点接触型トランジスタの発明(1947年)の報を国内でいち早く入手する事ができた。西澤が研究者としての歩みを始めた時期は、ちょうど渡辺が半導体の研究を開始した時期と一致する。

工学部卒業後、当時存在した制度である大学院特別研究生に採用される。この時期の1950年に西澤独自のpin接合構造を考案し、半導体デバイスとしてpinダイオード、静電誘導トランジスタ、pnipトランジスタを発明する。また半導体プロセスとして重要なイオン注入法も発明している。

新規の学説を発表した西澤であったが、学界では定説とは異なっているとして攻撃を受けた。渡辺はこの状況に配慮し、西澤の書き上げた論文を渡辺が預かり対外発表を控える時期がしばらく続いた。

大学院特別研究生を修了後、東北大学電気通信研究所に任用される。以後定年退官まで同所で研究開発と教育に従事する。

西澤、渡辺らの持つpinダイオード等の特許権を元に財団法人 ⇒半導体研究振興会(1961年 - 2008年)を設立。産業界からの寄付を得つつ、事業として半導体研究所を設立した(1963年)。大学の外部でも西澤が主導して研究が進められた[4]。

西澤の指導した学生にフラッシュメモリー発明者の舛岡富士雄、MEMS研究者の江刺正喜、メモリ研究の小柳光正、マーチングメモリの中村維男らがいる。西澤の研究室に所属した教員として半導体プロセスとクリーンルーム研究の大見忠弘がいる。


西澤の指導学生ではないが、シンラタービン(Shinla Turbine)発明者の齋藤武雄が私淑して弟子と称している。


日本学士院賞受賞に当たって直接の面識や指導を受けた事のない八木秀次の推薦を受けている[5][3]。

東北大学を退官後は東北大学、岩手県立大学、首都大学東京で学長を歴任し、大学経営に従事する。

2018年10月21日、仙台市で死去。92歳没[6][7]。

業績

半導体電子工学分野で独自の半導体から絶縁体へのホットエレクトロン注入理論を考案し、それに基づいてpn接合に絶縁体(i:insulator)層を挟んだpin構造を持つ電子デバイスであるpinダイオード、静電誘導トランジスタ、静電誘導サイリスタ等を発明する。

半導体への不純物導入手法としてイオン注入法を発明。