Shuji NAKAMURA
（中村 修二）
人物情報
生誕 (1954-05-22) 1954年5月22日（67歳）[1][2][3]
日本愛媛県西宇和郡四ツ浜村字大久（おおく）[4]
居住 アメリカ合衆国カリフォルニア州
国籍 アメリカ合衆国[5][6][7][注釈 1]
※2005年までは日本国籍
出身校徳島大学
学問
研究分野電子工学、半導体工学
研究機関日亜化学工業
フロリダ大学
カリフォルニア大学サンタバーバラ校
株式会社SORAA
指導教員多田修（徳島大学）[8]
学位博士（工学）（徳島大学）
主な業績高輝度青色発光ダイオードの発明、実用。
中村裁判・404特許
ERATO中村不均一結晶プロジェクト
無極性青紫半導体レーザー
影響を
受けた人物福井萬壽夫（徳島大学）[9]
小川信雄（日亜化学工業）[10]
影響を
与えた人物岡本研正（香川大学）[11]
主な受賞歴仁科記念賞（1996年）
大河内記念賞（1997年）
ミレニアム技術賞（2006年）
アストゥリアス皇太子賞学術・技術研究部門（2008年）
ハーヴェイ賞（2009年）
第63回エミー賞技術開発部門（2011年）
ノーベル物理学賞（2014年）
チャールズ・スターク・ドレイパー賞（2015年）
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ノーベル賞受賞者
受賞年：2014年
受賞部門：ノーベル物理学賞
受賞理由：高輝度で省電力の白色光源を可能にした青色発光ダイオードの発明

中村 修二（Shuji NAKAMURA、なかむら しゅうじ、1954年（昭和29年）5月22日[1][2][3] - ）は、電子工学を専門とする技術者、研究者。徳島大学博士（工学）[12]。日亜化学時代の1993年に世界に先駆けて実用的な高輝度青色発光ダイオードを開発し[13][14]、その発明により赤�ｱ勇・天野浩とともに2014年のノーベル物理学賞を受賞した[15][16][注釈 2]。日亜化学との訴訟[注釈 3]でも注目を集めた[17][18][19]。2005年までは日本国籍であったが、その後アメリカ国籍を取得している[5][6][注釈 1]。

日亜化学工業開発部主幹研究員[20]、同社 窒化物半導体研究所 所長[21][22]を経て、2000年よりカリフォルニア大学サンタバーバラ校（UCSB）教授[14][23][24]。