不揮発性メモリ
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不揮発性メモリ(ふきはつせいメモリ、: Non-volatile memory)または不揮発性記憶装置(ふきはつせいきおくそうち、: non-volatile storage)は、コンピュータで使われるメモリの一種で、電源を供給しなくても記憶を保持するメモリの総称である。逆に電源を供給しないと記憶が保持できないメモリは揮発性メモリと呼ばれる。
概説

不揮発性メモリは現在のところ、主に補助記憶装置(ストレージという語もあるが、この節ではメモリで統一する)として使われている。主記憶装置にはもっぱら揮発性メモリが使われている。主記憶がもし不揮発であれば、コンピュータの電源を断続する際に現在のような「シャットダウン → 再起動」というシーケンスが不要になり、ノートパソコンの「ハイバネーション」のような運用を、補助記憶への退避と復帰を行わずにできるなどという利点があるが、現在のところ主に速度面であまり現実的にはなっていない。

不揮発性メモリには、ROMフラッシュメモリ、ほとんどの種類の磁気記憶装置ハードディスクドライブフロッピーディスク磁気テープなど)、光ディスク、初期のコンピュータで使われた紙テープパンチカードなどがある。アドレスを電気的に指定するもの(半導体メモリなど)と機械的に指定するもの(ハードディスク光ディスク磁気テープなど)に分類され、電気的にアドレス指定するものはビット単価が高価だが高速であり、機械的に指定するものはビット単価が安いが低速である。

いくつかの企業が価格面でも性能面でも揮発性のRAMに匹敵する不揮発性メモリを開発中である(以下の「その他」の節を参照)。不揮発性メモリを主記憶装置に利用できれば省電力になるだけでなく、コンピュータの電源をいつでも切ったり入れたりでき、時間のかかるスタートアップやシャットダウンが不要になる。ノーマリーオフコンピューティングの鍵となる技術のひとつである。
半導体メモリ

主要なタイプとして、以下のようなものがある。
マスクROM詳細は「マスクROM」を参照

マスクROMは古くからある不揮発性ROMで、設計段階から配線によって特定のデータを格納するようになっており、そのフォトマスクを使って集積回路を製造すると、シリコンにデータが刻み込まれ後から書き換えることはできない。

したがってマスクROMは大量生産に向いており、初期のミニコンピュータの立ち上げ処理(ブート)のコードの格納などに使われた。

初期コストが高くつき後から修正できないことから、設計の初期段階で使うことは滅多にない。
PROM詳細は「PROM」を参照

PROMは出荷時点では何も記憶していない。ヒューズ型PROMは、シリコンまたは金属製のヒューズがあり専用の書き込み装置で選択的にヒューズを焼き切ることで個々のビットを0から1に変更する。一度ビットの内容を変更すると元に戻すことはできない。不揮発性ではあるが、やや柔軟性に欠ける。

初期のPLD(プログラマブルロジックデバイス)チップもヒューズ型PROMと同様のプログラミング手法を採用していた。

ヒューズ型より新しいアンチヒューズ型PROM(ワンタイム・プログラマブル (OTP) メモリとも)は、集積度・信頼性が高く、読み出しが高速でデータ保持期間が長いことから、家電機器、自動車、RFIDHDMIなどに広く使われている。
EPROM詳細は「EPROM」を参照

EPROM技術をベースとした不揮発性メモリには次の2種類がある。
UV-EPROM

記憶内容を消去可能なEPROMで、チップ中央に石英の窓があることからUV-EPROMだとすぐにわかる。電界効果トランジスタのゲート部に電荷を捉えるとビットの内容が1から0に変化する。その電荷を除去するには20分から30分間、波長の短い紫外線を照射すればよく、それによって出荷直後の何も記憶していない状態に戻る。
OTP(ワンタイム・プログラマブル) EPROM

OTP EPROM も基本的には同じものだが、石英の窓がチップにないため、一度書き込むと消去できない。石英を使わないため安価である。
EEPROM詳細は「EEPROM」を参照

EEPROMは電気だけでチップの記憶内容の一部を選択的に消去でき、しかも消去のために回路から取り外す必要がない。消去と書き込みは人間から見れば高速だが、読み出しに比べると遅い。

特定のビットを書き換えられる回数に限度があり、一般に1万回から10万回とされている。また記憶容量も他の不揮発性メモリに比べると小さい。EEPROMは機器の設定情報などの格納に適しており、モデムなど様々な機器で利用されている。
フラッシュメモリ詳細は「フラッシュメモリ」を参照

フラッシュメモリは、基本的にはEEPROMそのものである。しかし、一般のEEPROMと異なった構造に工夫があり、また消去の単位をブロックまたはページと呼ばれる単位として、密度と扱いやすさのバランスを取ったメモリである[1]


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出典: フリー百科事典『ウィキペディア(Wikipedia)
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