ユリウス・エドガー・リリエンフェルト
人物情報
全名Julius Edgar Lilienfeld
生誕 (1882-04-18) 1882年4月18日
オーストリア＝ハンガリー帝国
ガリツィア・ロドメリア王国、レンベルク
死没 (1963-08-28) 1963年8月28日（81歳没）
アメリカ領ヴァージン諸島・シャーロット・アマリー
学問
研究分野物理学
特筆すべき概念半導体増幅器
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ユリウス・エドガー・リリエンフェルト（Julius Edgar Lilienfeld、1882年4月18日 - 1963年8月28日）はドイツの物理学者。
来歴

1882年にオーストリア＝ハンガリー帝国リヴィウで生まれた。フンボルト大学ベルリンで学んだ後、1905年に博士号を取得してライプツィヒ大学に勤務した。1925年に電界効果トランジスタの原型を考案して3件の特許を取得したものの、当時の技術水準では実現しなかった。1926年からはアメリカ合衆国に定住して研究を続けた[1][2]。1990年にリリエンフェルトの構造が増幅作用を生じることが確認された[3]。1963年に死去した。

彼を顕彰し、American Physical Society（米国物理学会）は1989年からその名を冠したリリエンフェルト賞を毎年1名に贈っている。
著書

Das Laboratorium fur tiefe Temperaturen (Luft- und Wasserstoffverflussigung) des physikalischen Instituts der Universitat Leipzig

特許

アメリカ合衆国特許第 1,122,011号

アメリカ合衆国特許第 1,218,423号

アメリカ合衆国特許第 1,611,653号

アメリカ合衆国特許第 1,745,175号

アメリカ合衆国特許第 1,900,018号

アメリカ合衆国特許第 1,920,799号

アメリカ合衆国特許第 1,954,636号

アメリカ合衆国特許第 1,986,779号

アメリカ合衆国特許第 1,989,622号

アメリカ合衆国特許第 2,001,790号

アメリカ合衆国特許第 2,015,484号

アメリカ合衆国特許第 2,036,878号

アメリカ合衆国特許第 2,079,516号

アメリカ合衆国特許第 2,585,947号

アメリカ合衆国特許第 2,662,995号

アメリカ合衆国特許第 2,686,892号

アメリカ合衆国特許第 2,742,596号

アメリカ合衆国特許第 2,891,603号

アメリカ合衆国特許第 2,907,376号

脚注[脚注の使い方]^ ⇒The Story & History of Transistor Invention
^ ⇒A Very Early Conception of a Solid State Device
^ ⇒電子・IT・新技術6：トランジスタ（1948年：ショックレーら）

外部リンク

Julius Edgar Lilienfeld Prize - APS Physics

Julius Edgar Lilienfeld - YouTube

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