ユナイテッド・セミコンダクター・ジャパン
United Semiconductor Japan
種類株式会社
略称USJC
本社所在地 日本
〒221-0056
神奈川県横浜市神奈川区金港町3-1 コンカード横浜
本店所在地〒511-0118
三重県桑名市多度町御衣野2000番地
設立2014年12月1日
業種電気機器
法人番号3190001022170
ユナイテッド・セミコンダクター・ジャパン株式会社(略称: USJC、英語: United Semiconductor Japan Co., Ltd.)は三重県桑名市の300mm半導体ウェハー工場を製造拠点にしたファウンドリ専業メーカーである。
台湾にある聯華電子(UMC)グループの一員となり、日本発のファウンドリとして半導体製造受託サービスを提供している。 前身の三重富士通セミコンダクターは、富士通セミコンダクターとUMCとの合弁会社で、製造拠点の三重工場は、1984年の操業開始以来、最先端メモリ等の開発・量産が行われてきた。 2019年10月、三重富士通セミコンダクターからユナイテッド・セミコンダクター・ジャパンへ社名変更し、UMCの完全子会社として設立された。USJCの本社は神奈川県横浜市に新設され、製造拠点はこれまでと同様の三重県桑名市である。 三重工場で製造される半導体を「桑名発の半導体」と称している。 B1棟B2棟
概要
三重工場の特長
操業開始2005年2007年
延床面積38000m280000m2
クリーンルーム面積17000m230000m2
プロセステクノロジ40nm, 55nm, 65nm, 90nm
製造能力約35000枚/月
沿革
1984年(昭和59年)- 富士通三重工場開設。
1992年(平成4年)- 世界初スーパーコンピュータ向けのCMOS LSIを開発。
2003年(平成15年)- 90nmCu多層配線のプロセス量産開始。
2004年(平成16年)- 富士通三重工場に世界初ハイブリッド免振構造の300mmウェハー対応の新棟建設。
2006年(平成18年)- 富士通三重工場に300mmウェハー対応の第2棟建設。
2008年(平成20年)- 富士通LSI事業部を分社化し、富士通マイクロエレクトロニクス株式会社を設立。
2010年(平成22年)- 富士通セミコンダクター株式会社に社名変更。スーパーコンピュータ「京」半導体チップ製造開始。
2013年(平成25年)- DDCトランジスタ採用製品の量産を開始。
2014年(平成26年)- 三重富士通セミコンダクター株式会社を設立。
2015年(平成27年)- 世界で初めて旋回流誘引型成層空調[1]を全面採用し、40nmプロセス製造ラインを構築。
2016年(平成28年)- 品質マネジメントシステム(ISO9001:2015)認証取得。自動車産業向け品質マネジメントシステム(IATF16949:2016)認証取得。
2019年(平成31年/令和元年)- 環境マネジメントシステム(ISO14001:2015)認証取得。ユナイテッド・セミコンダクター・ジャパン株式会社に社名変更。
2020年(令和2年)- 情報セキュリティマネジメントシステム(ISO/ICE 27001:2013)認証取得。
2021年(令和3年)- 事業継続マネジメントシステム(ISO22301:2019)認証取得[2]。
2022年(令和4年)- デンソーと車載パワー半導体の生産において協業[3]。労働安全衛生マネジメントシステム(ISO45001:2018)認証取得。
2023年(令和5年)- デンソーとの協業による車載パワー半導体の量産出荷を開始。情報セキュリティマネジメントシステム(ISO/ICE 27001:2022)認証取得。
脚注[脚注の使い方]
出典^ “旋回流誘引型成層空調(SWIT)
^ “事業継続マネジメントシステム(ISO22301:2019)認証取得
^ “デンソーとの協業”. USJC. 2023年2月8日閲覧。
外部リンク
⇒公式ウェブサイト