マイクロン・テクノロジ
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マイクロン・テクノロジー株式会社
Micron Technology, Inc.

種類株式会社
市場情報NASDAQ: MU
略称.mw-parser-output .plainlist--only-child>ol,.mw-parser-output .plainlist--only-child>ul{line-height:inherit;list-style:none none;margin:0;padding-left:0}.mw-parser-output .plainlist--only-child>ol li,.mw-parser-output .plainlist--only-child>ul li{margin-bottom:0}

Micron(マイクロン)

MTI

本社所在地 アメリカ合衆国
83707‐0006


Post Office Box 6

8000 South Federal Way, Boise, ID.

設立1978年10月23日 (45年前) (1978-10-23)
業種製造業
事業内容半導体メモリ開発および製造
代表者サンジェイ・メイロトラ (CEO)
資本金$12,928百万
発行済株式総数1,041,537,057
売上高$12,399百万
営業利益$168百万
純利益$276百万
純資産$12,928百万
総資産$27,540百万
従業員数約31,400
決算期

2016年度

(2015年10月1日 (2015-10-01)?2016年9月30日 (2016-9-30))

関係する人物

ウォード・パーキンソン(初代CEO)

スティーヴン・アップルトン(2代CEO)

ダーモット・マーク・ダーカン(3代CEO)

ジョン・リチャード・シンプロット

外部リンクhttps://www.micron.com/home
特記事項:額面は連結アメリカ合衆国ドル建てである。
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マイクロン・テクノロジ(: Micron Technology)(マイクロン・テクノロジー)は、アメリカ合衆国アイダホ州ボイシ市本社を置く、半導体製造多国籍企業である。

なお、ナスダック上場されている同社の株式ナスダック100指数の銘柄の一つにも成っている。
詳細「クルーシャル」ブランドのエンドユーザー向けSSD

マイクロン・テクノロジーは、1978年10月23日に、デニス・ウィルソンとダグ・ピットマンとジョー・パーキンソンの3人のエンジニアおよび弁護士であったウォード・パーキンソン(初代CEO)により[R 1]モステック向けの[R 2]半導体製品の設計会社としてアメリカ合衆国アイダホ州ボイシ市の西部にあった歯科医院建物地下室にて創業された[R 3]

現在では、同社はコンピューターにおける主記憶ストレージ用の各種半導体メモリDRAMフラッシュメモリとそれらの搭載製品群)を開発・製造・販売している[R 4]。ただし、エンドユーザー向けの製品はクルーシャル・テクノロジーやバリスティクス・ゲーミングのブランドで製造・販売されている。

なお、同社は、2012年から毎年連続でTop100グローバル・イノベーターに選ばれ[R 5]研究開発では2014年時点で世界第8位と多額の投資を行っている[R 6]。同社は、ガートナーから発表された2014年の半導体メーカー売上高ランキングでは、垂直統合型デバイスメーカー (IDM) としては世界第4位の市場シェアを持つ[R 7]

また、インテルと共同設立したIM・フラッシュ・テクノロジーズ(英語版)がフラッシュメモリの製造を行っている。さらに、KTIセミコンダクターの買収で既にDRAMの開発研究拠点を築いていた日本で、更にエルピーダメモリ[R 8]買収したことで、メインフレームワークステーションPCなどの汎用DRAMの他に、モバイル用のDRAM[C 1]ラインナップに加わった。

2020年、1α(1-alpha)[1]と呼ばれるDRAMプロセス技術を公表、2021年初頭から同プロセス技術を適用したメモリチップの出荷を開始した旨を発表している[2][3]



日本法人

日本内に登記されているマイクロン・テクノロジーの子会社は2系統存在する。
神戸製鋼所テキサス・インスツルメンツ (TI) からの流れを汲むマイクロンジャパン (MJP)(【旧】KTIセミコンダクター)[R 9]

日本電気日立製作所および三菱電機からの流れを汲むマイクロンメモリジャパン (MMJ)(【旧】エルピーダメモリ)[R 10][R 11]

新型メモリの開発

2015年7月28日に、マイクロン・テクノロジーはインテルと共同で新型の半導体メモリとして3D XPointを発表した[4]

両社によれば以下のような特徴を有しているとしている。

不揮発性のメモリセルを採用

NANDフラッシュメモリ比で最大1000倍のスイッチング速度と耐久性を備え、更に、DRAM比で10倍の集積度

メモリセルの高密度化とコスト削減の為に、その選択に従来用いられてきたトランジスタを排したクロスポイント構造を採用

市松格子パターンのメモリセル配列を採用し、ノイズに因る影響を低減

メモリセル配列を複数層に積層した3次元構造を採用し、更なる記憶容量向上を実現

2019年現在に至るまで両社はメモリセルの詳細は公表してないが外部企業による調査の結果相変化メモリであることが明らかになっている[5]。インテルから「Optane」として商品化された一方で、マイクロンからは「QuantX」というブランド名は発表されたものの2019年8月時点まで発売されていない[6]


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出典: フリー百科事典『ウィキペディア(Wikipedia)
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