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出典検索?: "ヘテロ接合" 半導体
ヘテロ接合（ヘテロせつごう、英語：heterojunction）とは、異なる半導体同士の接合である。通常は格子整合系または格子定数が近い材料系で作られる。 半導体はそれぞれ、固有のエネルギーバンドをもつ。このため、多くの場合、ヘテロ接合では、バンドギャップの違う半導体を接合することになる（このバンドの接合についてはアンダーソンの法則を参照）。この2つの半導体のエネルギーバンドの差を利用した研究（量子井戸、超格子など）が盛んに行われている。応用例としては、太陽電池（HIT）、半導体レーザー、HEMT、HBTなどがある。 結晶成長技術の1つにエピタキシャル成長がある。これは、基板の上に結晶成長を行う方法である。成長させる結晶と同一の結晶の基板を作製することが困難な場合、成長させる結晶とは異なる基板が用いられる。
応用
バンドギャップの違いを利用したもの
結晶成長の応用（ヘテロエピタキシャル）
関連項目
ホモ接合
単一ヘテロ接合
ダブルヘテロ接合
ジョレス・アルフョーロフ
外部リンク
ヘテロ接合とは - コトバンク
歴
半導体
分類
P型半導体
N型半導体
真性半導体
不純物半導体
種類
窒化物半導体
酸化物半導体
アモルファス半導体
磁性半導体
有機半導体
半導体素子
集積回路
マイクロプロセッサ
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TTL論理素子
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CMOS
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静電誘導サイリスタ
ゲートターンオフサイリスタ
UJT
関連
ダイオード
太陽電池
関連項目
pn接合
ホモ接合
ヘテロ接合
単一ヘテロ接合
ダブルヘテロ接合
空乏層
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