ダウォン・カーン
???
生誕 (1931-05-04) 1931年5月4日[1]
朝鮮、京畿道、京城府
（現在の大韓民国、ソウル）
死没

1992年5月13日(1992-05-13)（61歳）[2]
アメリカ合衆国ニュージャージー州ニューブランズウィック
市民権大韓民国（放棄）
アメリカ合衆国
職業電気工学者
著名な実績MOSFET (MOSトランジスタ)
PMOS及びNMOS
ショットキーダイオード
ナノ層ベーストランジスタ
浮遊ゲートMOSFET
浮遊ゲートメモリ
リプログラマブルROM
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ダウォン・カーン
各種表記
ハングル：???
漢字：姜大元
RR式：Gang Dae-won
MR式：Kang Daew?n
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ダウォン・カーン（英語: Dawon Kahng、朝鮮語: ???、1931年5月4日 - 1992年5月13日）は、朝鮮系アメリカ人の電気工学者、発明家。固体電子工学（英語版）における業績で知られ、1959年にモハメド・アタラ（英語版）とともにMOSFETを発明したことで有名。アタラとともにMOSFET半導体デバイス製造のPMOSとNMOSプロセスを発展させた。MOSFETは、最も広く使用されているタイプのトランジスタであり、近年の電子機器の基本素子である。

カーンとアタラは後にMOS集積回路の概念を提案し、1960年代初頭にショットキーダイオードとナノ層ベーストランジスタに関する先駆的な研究を行った。その後、1967年にサイモン・ジィーとともに浮遊ゲートMOSFET(FGMOS)を発明した。カーンとジィーは、FGMOSは不揮発性メモリ(NVM)やリプログラマブルROM(ROM)の浮遊ゲートメモリセル（英語版）として使用できることを提案した。NVMやROMはEPROM (erasable programmable ROM)、EEPROM (electrically erasable programmable ROM)やフラッシュメモリ技術の基礎となった。2009年に全米発明家殿堂入りした。
経歴

1931年5月4日、朝鮮の京城府（現在の韓国ソウル）生まれ。韓国のソウル大学校で物理学を学び、1955年にアメリカ合衆国に移住し、オハイオ州立大学に入学し、1959年に電気工学の学位を得た[3]。MOSFETは1959年にベル研究所でカーンと同僚のモハメド・アタラにより発明された。

ニュージャージー州マレーヒルのベル研究所の研究員であり、1959年にモハメド・アタラ（英語版）とともに今日の電子機器の基本素子であるMOSFET（金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ、metal?oxide?semiconductor field-effect transistor）を発明した[4]。彼らは20 μmプロセスでPMOSデバイスとNMOSデバイスの両方を製造した[5]。

MOS技術の研究を拡張し、後にショットキーバリアと呼ばれるものを使用するホットキャリアデバイスの先駆的な研究を行った[6]。ショットキーバリアダイオードは何年も前から理論化されていたが、1960-61年のカーンとアタラの研究の結果として初めて実現された[7]。1962年にその結果を発表し、そのデバイスを半導体金属エミッタを備える「ホットエレクトロン」三極構造(hot electron triode structure with semiconductor-metal emitter)と呼んだ[8]。ショットキーダイオードは、ミキサの用途で重要な役割を担うようになった[7]。その後、彼らは高周波ショットキーダイオードに関するさらなる研究を行った[要出典]。

1962年、カーンとアタラは、初期の金属ナノ層ベーストランジスタを提案し、実証した。このデバイスは、2つの半導体層の間にナノメートルの厚さの金属層が挟まれており、金属がベースを形成し、半導体がエミッタとコレクタを形成する。