スピン注入メモリ(スピンちゅうにゅうメモリ、英: Spin Transfer Torque Random Access Memory
)は、スピントロニクスを利用し、TMR効果を動作原理とする不揮発性メモリであり、STT-RAMまたはST-MRAM[1]とも呼ばれる。なお、従来のGMR効果を原理とする方式は特にMRAMとして区別されている。 スピン注入メモリのメモリセル
構造と原理
MJT素子への電子流の向きにより記録された磁気の向きは、トンネル磁気抵抗効果の大小によるトンネル電流の大小となって現れる。記憶層の磁化を破壊しない微弱電流を流すことにより、素子に現れる電圧の大小となって磁化の向きを読み取ることができ、メモリセルの役割が完結する。@media all and (max-width:720px){.mw-parser-output .mod-gallery{width:100%!important}}.mw-parser-output .mod-gallery{display:table}.mw-parser-output .mod-gallery-default{background:transparent;margin-top:.3em}.mw-parser-output .mod-gallery-center{margin-left:auto;margin-right:auto}.mw-parser-output .mod-gallery-left{float:left;margin-right:1em}.mw-parser-output .mod-gallery-right{float:right}.mw-parser-output .mod-gallery-none{float:none}.mw-parser-output .mod-gallery-collapsible{width:100%}.mw-parser-output .mod-gallery .title,.mw-parser-output .mod-gallery .main,.mw-parser-output .mod-gallery .footer{display:table-row}.mw-parser-output .mod-gallery .title>div{display:table-cell;text-align:center;font-weight:bold}.mw-parser-output .mod-gallery .main>div{display:table-cell}.mw-parser-output .mod-gallery .gallery{line-height:1.35em}.mw-parser-output .mod-gallery .footer>div{display:table-cell;text-align:right;font-size:80%;line-height:1em}.mw-parser-output .mod-gallery .title>div *,.mw-parser-output .mod-gallery .footer>div *{overflow:visible}.mw-parser-output .mod-gallery .gallerybox img{background:none!important}.mw-parser-output .mod-gallery .bordered-images .thumb img{outline:solid #eaecf0 1px;border:none}.mw-parser-output .mod-gallery .whitebg .thumb{background:#fff!important}メモリセルの構造
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MTJ素子の原理
MJT素子の磁化方向は図に示したような絶縁層の面に対し記録層の磁化方向が水平となる水平磁気記録方式と、磁化方向が垂直な垂直磁気記録方式とが存在し、磁化反転に必要なエネルギー(書き込み電流)の点で、微細化の面でも垂直磁気記録方式のほうが有利である[4][5]。 STT-RAMは、MRAMと比較して大容量化に有利であり、近年は研究・開発が盛んになっている。既に、DRAMと同様に数nsという高速アクセスが実現されており、小容量ながらもDRAM互換の製品が出回り始めている。
実用
脚注[脚注の使い方]
注釈^ ある向きのスピンの側では価電子帯が電子で完全に満たされ、バンドギャップが開き半導体的な状態となり、反対向きのスピン側では価電子帯の電子は完全に満たされていない状態(つまり金属的なバンド状態)を持つ物質。ハーフメタリックを参照のこと。
出典^ Spin-Torque MRAM Technology Everspin
^ 福田昭 (2016年6月3日). “スピン注入による磁化反転の動作 (1/2 ページ)”. EE Times Japan. アイティメディア. 2023年8月15日閲覧。
^ 福田昭 (2016年6月3日). “スピン注入による磁化反転の動作 (2/2 ページ)”. EE Times Japan. アイティメディア. 2023年8月15日閲覧。
^ 與田博明 (2008年9月5日). “スピンRAMの現状と将来”. 日本HDD協会. 2023年8月15日閲覧。
^ 與田博明 (2011). “垂直磁化方式のMTJ記憶素子を用いたスピン注入書込みMRAM”. 東芝レビュー 66 (9). https://www.global.toshiba/content/dam/toshiba/migration/corp/techReviewAssets/tech/review/2011/09/66_09pdf/a06.pdf 2023年8月15日閲覧。.
参考文献
大下淳一. “STT-MRAM システム・アーキテクチャーを一新する、不揮発で速く丈夫な新メモリー”. 日経テクノロジーオンライン. 日経BP. 2014年6月13日閲覧。
関連項目
ユニバーサル・メモリ
磁気抵抗メモリ (MRAM)
スピン注入メモリ