施敏Simon Sze
生誕 (1936-03-21) 1936年3月21日
中華民国南京市
死没2023年11月6日(2023-11-06)（87歳）
国籍 台湾
アメリカ合衆国
研究分野電子工学
研究機関国立陽明交通大学
出身校国立台湾大学
ワシントン大学 (ワシントン州)
スタンフォード大学
主な業績浮遊ゲートMOSFET
主な受賞歴J J Ebers Award (1991)
IEEE Celebrated Member (2017)
未来科学大賞 (2021)
プロジェクト:人物伝
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サイモン・ミン・ジィー（Simon Min Sze、施敏、1936年 - 2023年11月6日）は、中国系アメリカ人の電気工学者。国立陽明交通大学終身教授、国立台湾科技大学名誉教授。1967年にダウォン・カーンとともに浮遊ゲートMOSFETを発明したことで最も有名。
来歴

中国の南京市で生まれ台湾で育った。1957年に国立台湾大学を卒業し、1960年にワシントン大学で修士号を取得し、1963年にスタンフォード大学で博士号を取得した。1990年までベル研究所で働き、その後台湾に戻り国立交通大学の教員となった。

2023年11月6日に死去。87歳没[1]。
業績

現在不揮発性半導体メモリデバイスに広く使用されている浮遊ゲートMOSFETを1967年に発見したこと（ダウォン・カーンとともに）を含む半導体物理学及びテクノロジーにおける研究で知られる[2]。半導体の分野で最も引用される教科書の1つである『半導体デバイス―基礎理論とプロセス技術―』(Physics of Semiconductor Devices)を含む多くの本を著している。1991年に電子デバイスへの功績によりJ J Ebers Awardを受賞した[3]。
受賞歴

1977年 - IEEE Fellow

1991年 - J J Ebers Award

1994年 - 中央研究院院士

1995年 - 全米技術アカデミー会員

1998年 - 中国工程院外国人会員

2017年 - IEEE セレブレーションメンバー

2021年 - 未来科学大賞[4]

著書

Physics of Semiconductor Devices, S. M. Sze. New York: Wiley, 1969, .mw-parser-output cite.citation{font-style:inherit;word-wrap:break-word}.mw-parser-output .citation q{quotes:"\"""\"""'""'"}.mw-parser-output .citation.cs-ja1 q,.mw-parser-output .citation.cs-ja2 q{quotes:"「""」""『""』"}.mw-parser-output .citation:target{background-color:rgba(0,127,255,0.133)}.mw-parser-output .id-lock-free a,.mw-parser-output .citation .cs1-lock-free a{background:url("//upload.wikimedia.org/wikipedia/commons/6/65/Lock-green.svg")right 0.1em center/9px no-repeat}.mw-parser-output .id-lock-limited a,.mw-parser-output .id-lock-registration a,.mw-parser-output .citation .cs1-lock-limited a,.mw-parser-output .citation .cs1-lock-registration a{background:url("//upload.wikimedia.org/wikipedia/commons/d/d6/Lock-gray-alt-2.svg")right 0.1em center/9px no-repeat}.mw-parser-output .id-lock-subscription a,.mw-parser-output .citation .cs1-lock-subscription a{background:url("//upload.wikimedia.org/wikipedia/commons/a/aa/Lock-red-alt-2.svg")right 0.1em center/9px no-repeat}.mw-parser-output .cs1-ws-icon a{background:url("//upload.wikimedia.org/wikipedia/commons/4/4c/Wikisource-logo.svg")right 0.1em center/12px no-repeat}.mw-parser-output .cs1-code{color:inherit;background:inherit;border:none;padding:inherit}.mw-parser-output .cs1-hidden-error{display:none;color:#d33}.mw-parser-output .cs1-visible-error{color:#d33}.mw-parser-output .cs1-maint{display:none;color:#3a3;margin-left:0.3em}.mw-parser-output .cs1-format{font-size:95%}.mw-parser-output .cs1-kern-left{padding-left:0.2em}.mw-parser-output .cs1-kern-right{padding-right:0.2em}.mw-parser-output .citation .mw-selflink{font-weight:inherit}ISBN 0-471-84290-7; 2nd ed., 1981, ISBN 0-471-05661-8; 3rd ed., with Kwok K. Ng, 2006, ISBN 0-471-14323-5.

Nonvolatile Memories: Materials, Devices and Applications" 2-volume set, Tseung-Yuen Tseng and Simon M. Sze. Los Angeles: American Scientific Publishers, 2012; ISBN 1-58883-250-3.

Semiconductor Devices: Physics and Technology, S. M. Sze. New York: Wiley, 1985; 2nd ed., 2001, ISBN 0-471-33372-7; 3rd ed., 2012, ISBN 978-0470-53794-7.

ジィー, S.M. 著、南日康夫・川辺光央・長谷川文夫 訳『半導体デバイス―基礎理論とプロセス技術―』（第1版）産業図書、1987年5月。ISBN 9784782855508。 

ジィー, S.M. 著、南日康夫・川辺光央・長谷川文夫 訳『半導体デバイス―基礎理論とプロセス技術―』（第2版）産業図書、2004年3月。ISBN 9784782855508。 


VLSI Technology, ed. S. M. Sze. New York: McGraw-Hill, 1983, ISBN 0-07-062686-3; 2nd ed., 1988, ISBN 0-07-062735-5.