真性半導体では、不純物のドーピングがされていないため、キャリアはイオン化不純物散乱の影響を受けない。その結果、ドーピングされている際と比較して、非常に高移動度を示す。しかし、前述のように真性半導体ではキャリア密度が非常に低いため、これを利用した用途は限定される。ヘテロ構造による二次元電子ガスを利用した半導体素子(例えば、HEMT)の様な用途がある。
真性半導体ではキャリア密度が低いため、一般には、真性半導体に不純物をドーピングした不純物半導体(外因性半導体)が使用される。この不純物半導体では、ドナーもしくはアクセプタの熱励起によるキャリアが伝導に寄与する。これは、キャリアがホール（正孔）のP型半導体、キャリアが電子のN型半導体に大別される。 キャリアの種類は、不純物元素の最外殻電子の数に依存する場合が多く、最外殻電子が4より大きい時はN型半導体、最外殻電子が4より小さい場合はP型半導体になることが多い。シリコンの場合、リン、ヒ素をドーピングした場合N型半導体に、ホウ素をドーピングした場合P型半導体になる。
表・話・編・歴半導体 （カテゴリ）
分類P型半導体 - N型半導体 - 真性半導体 - 不純物半導体
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カテゴリ: 半導体 | 電磁気学 | 固体物理学
更新日時:2008年2月1日(金)18:14
取得日時:2008/08/11 22:46