詳細はSOIを参照絶縁体上にシリコンのプレーナ形半導体素子を形成する技術である。絶縁体上の薄膜を利用するので、基板下部からの漏れ電流が少なく、耐放射線性能が向上する。システム液晶ディスプレイ・漏れ電流が少なく高速動作が可能なCMOS-IC・高耐圧MOS-IC・耐放射線素子の製作に使用される。絶縁体には人工に作られたサファイアが使われることもある(silicon on sapphire:SOS)。
今日数多く利用されている固体素子には、トランジスタ・電界効果トランジスタ (FET)、サイリスタ (SCR)、ダイオード（整流器）・発光ダイオード (LED) 等がある。
半導体素子は個別部品（ディスクリート半導体）としても利用可能だが、同じ製造工程で製作できる多数の素子をひとつの基板上に集積して集積回路とすることも可能である。
2端子素子（ダイオード）
電源整流用ダイオード
定電圧ダイオード（ツェナダイオード）
可変容量ダイオード
発光ダイオード (LED)
PINダイオード
ショットキーバリアダイオード（SBD）
レーザーダイオード
フォトダイオード
太陽電池
サージ保護用ダイオード
ダイアック
バリスタ
エサキダイオード（トンネルダイオード）
トランジスタ
バイポーラトランジスタ
ダーリントントランジスタ
電界効果トランジスタ (FET)
絶縁ゲートバイポーラトランジスタ (IGBT）
ユニジャンクショントランジスタ (UJT)
フォトトランジスタ
SIトランジスタ（静電誘導トランジスタ）
サイリスタ (SCR)
ゲートターンオフサイリスタ (GTO)
トライアック (TRIAC)
光トリガサイリスタ (LTT)
SIサイリスタ（静電誘導サイリスタ）
日本
ソニー
東芝
エルピーダメモリ
日立製作所･三菱電機･日本電気のDRAM部門が独立・合併して設立された。
ルネサス テクノロジ
日立製作所･三菱電機の半導体部門が独立・合併して設立された。
松下電器産業
NECエレクトロニクス
富士通
三洋半導体株式会社
京セラ
沖電気工業
セイコーエプソン
ローム
アメリカ
インテル
アドバンスト・マイクロ・デバイセズ
テキサス・インスツルメンツ
マイクロン・テクノロジ
IDT
フェアチャイルドセミコンダクター
フリースケール・セミコンダクタ
ナショナル セミコンダクター