記憶のアクセス方法による分類
ランダムアクセスメモリ (本来の意味のRAM：Random Access Memory）
ほとんどの半導体メモリが、このカテゴリに入る。任意のアドレスを指定すると、そのアドレスのデータが直接得られる。DRAMを代表とする幾つかのメモリは、アドレス指定が時分割されており、行アドレスと列アドレスを別々のサイクルで指定してデータにアクセスする。SRAMやROMに代表されるメモリは、直接アドレス情報を１サイクルで与えてデータにアクセスする為、DRAMに比べてアドレスピン数が多い。
シーケンシャルアクセスメモリ (逐次アクセスメモリ、SAM：Sequential Access Memory）
半導体の場合は一言で言えばシフトレジスタである。目的のデータは、順番にしか取得できない。
用途を限定した半導体メモリ素子の分類
FIFOメモリ 書き込んだ順番でのみ読み出しか可能
フレームメモリ ビデオ画面のバッファメモリ用
キャッシュメモリ CPUの主記憶装置アクセスの高速化用
表・話・編・歴半導体メモリ
ROMマスクROM - PROM - EPROM - UV-EPROM - EEPROM - フラッシュメモリ
RAMDRAM - SRAM - FeRAM - Z-RAM - TTRAM
不揮発性メモリROM - PROM - EAROM - EPROM - EEPROM - フラッシュメモリ - FeRAM - MRAM - PRAM - SONOS - RRAM - NRAM
表・話・編・歴半導体 （カテゴリ）
分類P型半導体 - N型半導体 - 真性半導体 - 不純物半導体
種類窒化物半導体 - 酸化物半導体 - アモルファス半導体 - 磁性半導体
半導体素子集積回路 - マイクロプロセッサ - 半導体メモリ - TTL論理素子
バンド理論バンド構造 - バンド計算 - 第一原理バンド計算 - 伝導帯 - 価電子帯 - 禁制帯 - フェルミ準位 - 不純物準位 - 電子 - 正孔 - ドナー - アクセプタ - 物性物理学
トランジスタサイリスタ - バイポーラトランジスタ (PNP, NPN) - 電界効果トランジスタ
関連ダイオード - 太陽電池
その他pn接合 - 空乏層 - ショットキー接合 - MOS接合 - 電子工学 - 電子回路 - 半導体工学 - 金属 - 絶縁体
して下さる人を求めています（Portal:コンピュータ）。
カテゴリ: コンピュータ関連のスタブ項目 | 半導体メモリ
更新日時:2008年6月5日(木)08:00
取得日時:2008/09/26 19:03
