バンドギャップ
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関連項目

フェルミエネルギー-フェルミ面

不純物準位-ドーピング-欠陥準位

直接ギャップ-間接ギャップ

バンド端発光-光電効果

・編・歴半導体カテゴリ

分類P型半導体 - N型半導体 - 真性半導体 - 不純物半導体

種類窒化物半導体 - 酸化物半導体 - アモルファス半導体 - 磁性半導体

半導体素子集積回路 - マイクロプロセッサ - 半導体メモリ - TTL論理素子

バンド理論バンド構造 - バンド計算 - 第一原理バンド計算 - 伝導帯 - 価電子帯 - 禁制帯 - フェルミ準位 - 不純物準位 - 電子 - 正孔 - ドナー - アクセプタ - 物性物理学

トランジスタサイリスタ - バイポーラトランジスタ (PNP, NPN) - 電界効果トランジスタ 

関連ダイオード - 太陽電池

その他pn接合 - 空乏層 - ショットキー接合 - MOS接合 - 電子工学 - 電子回路 - 半導体工学 - 金属 - 絶縁体


関連項目

物性物理学
カテゴリ: 電子 | 半導体

更新日時:2008年8月9日(土)07:16
取得日時:2008/10/05 16:43


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出典: フリー百科事典『ウィキペディア(Wikipedia)
担当:Mamenoki