半絶縁性基板(はんぜつえんせいきばん、semi-insulating substrate)とは、ガリウムヒ素やインジウムリン等の化合物半導体において、不純物を含まない(ドーピングされていない)基板において、高抵抗(比抵抗：数MΩ/□)を示すことを言う。 化合物半導体が高周波素子の作成に有利な理由は、高い電子移動度を持っているだけでなく、基板がこの様に高抵抗を示し、リーク電流や対地容量を抑えることが可能であることが大きい。
基板が半絶縁性を示す理由は基板中の深い準位が原因である。ガリウムヒ素の場合、伝導帯から0.7eV付近にEL2と呼ばれる深い準位が存在し、これが高抵抗の原因となっている。 この深い準位の原因は、完全に判明しているとはいえないが、一番有力な説は、構成する原子のアンチサイト欠陥である。アンチサイトは、化合物半導体で使用される構成原子の一部が、結晶中の本来の位置でなく、他の元素が入るべき位置に入ってしまう現象のことである。(例：ガリウムヒ素の場合、ガリウム原子がヒ素原子が入るべき位置に入ってしまう現象)
関連項目
エピタキシャル成長
格子欠陥
化合物半導体
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カテゴリ: 工学関連のスタブ | 半導体
更新日時:2007年10月29日(月)14:11
取得日時:2008/09/08 13:49
