フラッシュランプアニール
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フラッシュランプアニールは、カメラなどに用いられるフラッシュランプを数万倍のエネルギーに巨大化したものを半導体アニール装置に応用したものである。

ウルトラシャロージャンクションなど、微細化が極度に進んだ集積回路エクステンションと呼ばれる部分の活性化に用いられる。 それまでのアニールはハロゲンランプが用いられるのが一般的であったが、ドーピングしたイオンが活性化する1000℃以上にウェハを加熱しようとするとハロゲンランプでは数秒の時間がかかる。そのわずか数秒で数十ナノメートルのトランジスタソースドレインが短絡するほどのイオンの拡散をおこす。最近の集積回路のトランジスタはそれほど小さくなっているのだ。 フラッシュランプアニールはそのドーピングされたイオンが拡散する暇を与えない、数十万度毎秒というスピードで昇降温する。この早業によってイオン拡散をほとんど起こさずにドープされたイオンを活性化することができる。65nm以降の汎用CPUにはこのアニール装置が用いられている。

この項目「フラッシュランプアニール」は、工学技術に関連した書きかけ項目です。加筆、訂正などをして下さる協力者を求めています。
カテゴリ: 半導体 | 工学関連のスタブ

更新日時:2008年4月9日(水)11:41
取得日時:2008/07/29 11:06


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出典: フリー百科事典『ウィキペディア(Wikipedia)
担当:Mamenoki