フォトレジストとは、フォトリソグラフィにおいて使用される、光や電子線等によって溶解性などの物性が変化する組成物である。物質の表面に塗布され、後に続くエッチングなどの処理から物質表面を保護することから、「レジスト」（resist）の名がある。しかしながら、現在では、感光性を有し、画像様露光・現像によりパターニングを行って表面に画像層を形成することができる物質であればフォトレジストと呼ばれ、必ずしも保護の働きがあるとは限らない。
目次

1 ネガ型とポジ型

1.1 ネガ型

1.2 ポジ型


2 露光波長による分類

3 関連項目

//

ネガ型とポジ型

フォトレジストは、光・電子線との反応方法から大きく分けてポジとネガに分けられる。

ネガ型ネガ型は露光されると現像液に対して溶解性が低下し、現像後に露光部分が残る。現像液には多くが有機溶剤を使用しており、扱いや環境の面でポジ型に対して不利がある。また現像時に溶剤がレジストを膨潤させる事から微細配線への対応が難しくなる。これらの事情から現在、半導体向けでは縮小傾向にあり、製造元も限られてきている(東京応化工業)。

ポジ型

ネガ型とは逆に、露光されると現像液に対して溶解性が増大し、露光部が除去される。 現像はアルカリ溶液で行われ、TMAH(テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド)が最も良く用いられる。もともとこの区別は、印刷版原版を作成する際に、ネガとポジいずれのフォトマスクを使用するかによって決められた。ネガ型のマスクを用いると、露光された部分の溶解性が低下し、版上に残って画線部となる。ポジ型のマスクを用いると、露光されなかった部分が版上に残り、画線部となるのである。しかしながら、ある種の水なし平版印刷版では、露光された部分にシリコーンゴムが残り非画線部となる。したがって、フォトリソグラフィにより印刷版を作成する際には、ネガとポジについて注意が必要である。

露光波長による分類

フォトレジストは光反応を利用してパターニングするが、その光の種類（光源の種類）によっても分類される。

半導体レーザー（波長 830nm, 532nm, 488nm, 405nm, etc...）

メタルハライドランプ

高圧水銀灯

g線（波長 436nm）

h線（波長 405nm）

i線（波長 365nm）

ブロード(g,h,i線の３波長)


エキシマレーザー

KrFエキシマレーザー（波長 248nm）

ArFエキシマレーザー（波長 193nm）

F2エキシマレーザー（波長 157nm）


極端紫外線；ＥＵＶ（波長 13.6nm）

電子線

エキシマレーザー及びＥＵＶは、もっぱら、半導体素子の製造に用いられる。 電子線は、主に、半導体素子の製造の露光の際に用いられるマスクの製造に用いられる。 半導体レーザーは、例えば、平版印刷版（830nm, 532nm, 488nm, 405nm, etc...）やプリント基板（405nm）のためのデジタルイメージングの走査露光用に用いられる。

関連項目

フォトリソグラフィ

プリント基板

この項目「フォトレジスト」は、調べものの参考にはなる可能性がありますが、まだ書きかけの項目です。加筆、訂正などをして下さる協力者を求めています。
このテンプレートは分野別のスタブテンプレート（Wikipedia:スタブカテゴリ参照）に変更することが望まれています。ただし、サーバー負荷軽減のため、スタブテンプレートの変更は加筆とともに行ってください。
カテゴリ: スタブ | 半導体 | 印刷

更新日時:2008年8月31日(日)17:51
取得日時:2008/09/05 13:50