バンド構造(Band structure)は、ポテンシャルや誘電率などの周期的構造によって生じる、波動(電子や電磁波など)に対する分散関係のことである。
電子バンド構造(Electronic band structure)
結晶中の電子に対するバンド構造で、ポテンシャルの周期的構造によって生じる。本項を参照。
フォトニックバンド構造(Photonic band structure)
フォトニック結晶中の電磁波に対するバンド構造で、誘電率の周期的構造によって生じる。フォトニックバンド構造を参照。
他にも、フォノニックバンド構造やプラズモニックバンド構造などがある。
電子バンド構造(Electronic band structure)は、結晶などの固体の中で、波として振舞う電子(価電子)に対するバンド構造のことである。
概要例:シリコン結晶のバンド曲線(概形)
結晶中ではイオン殻による周期的な電場によって、電子のとり得るエネルギーは、いくつかの帯状(バンド状)の領域に限られる。この領域をエネルギーバンドと呼び、電子が取ることの出来ないエネルギー領域をエネルギーギャップと呼ぶ。エネルギーバンド中にどのように電子が入っているかによって、その固体の電気伝導性や光学的特性などが決まる。また、バンド構造はバンド曲線、E-k曲線(E-k分散)、バンド分散などと呼ばれることもある。
バンド構造は通常、縦軸がエネルギー、横軸が第一ブリュアンゾーンの適当に選んだいくつかの直線上のk点となっている(系の持つ対称性に依存する)。各k点上に電子の取り得る固有状態(バンド)があり、これらが繋がって曲線をなしている(繋がり方も重要)。バンド構造を見ることにより、バンドギャップが空いているかどうか(つまり対応する系が金属かそうでないか)、バンドの分散が強いか弱いかによる電子状態の違い(分散が弱いと、そのバンドの電子はより束縛された状態となっている。強いと逆)、異なる系同士のバンド構造を比較することにより、系の安定性(どちらがより安定か)などの議論が可能である(注:バンド構造だけでは判断できない場合もある)。半導体のバンド構造の模式図。Egがバンドギャップ(禁制帯)、その下の充満帯が価電子帯。禁制帯のすぐ上の空帯が伝導帯となる。
半導体(や絶縁体)においては、k空間を無視して、バンドギャップの周辺だけに注目した、より簡単な描写が良く用いられる。バンドギャップの項を参照。
電子のバンド構造と類似したものとして、フォノンによる分散曲線やフォトニックバンド構造などがある。尚、このような波数kと、対応するエネルギー固有値(固有エネルギー)εkとの関係を分散関係と言う。
関連項目
バンド理論
フォトニックバンド構造
ゴーストバンド
エネルギー分散(Energy dispersion→バンド分散)
第一原理バンド計算
表・話・編・歴半導体 (カテゴリ)
分類P型半導体 - N型半導体 - 真性半導体 - 不純物半導体
種類窒化物半導体 - 酸化物半導体 - アモルファス半導体 - 磁性半導体
半導体素子集積回路 - マイクロプロセッサ - 半導体メモリ - TTL論理素子
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カテゴリ: 固体物理学 | 半導体
更新日時:2008年2月17日(日)20:15
取得日時:2008/07/23 20:07